Silício amorfo, disseleneto Cobre e índio

Silício amorfo, disseleneto Cobre e índio

 Silício amorfo, disseleneto Cobre e índio (CIS) e telureto de cádmio (CdTe) são usados ??como materiais semicondutores. Devido à alta absorção de luz desses materiais, espessuras inferiores a 0,001mm é teoricamente suficiente para converter a luz solar. Esses materiais são mais duráveis Contaminação por átomos estranhos. Em comparação com a temperatura de fabricação de células de silício cristalino de até 1.500 ºC, As baterias de película fina requerem apenas temperaturas entre 200°C e 500°C. menor Consumo de materiais e energia, e alta capacidade de automação da produção Em larga escala, oferece um potencial considerável para reduzir os custos de produção quando Comparado com a tecnologia de produção de silício cristalino.

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